ЛДМОС (бочно дифузни полупроводник металног оксида) је развијен за технологију мобилних телефона на 900 МХз. Континуирани раст тржишта целуларних комуникација осигурава примену ЛДМОС транзистора, а такође чини да ЛДМОС технологија и даље сазрева, а трошкови настављају да се смањују, па ће у будућности заменити технологију биполарних транзистора. У поређењу са биполарним транзисторима, појачање ЛДМОС цеви је веће. Појачање ЛДМОС цеви може да достигне више од 14дБ, док је код биполарних транзистора 5 ~ 6дБ. Добит ПА модула помоћу ЛДМОС цеви може да достигне око 60дБ. Ово показује да је за исту излазну снагу потребно мање уређаја, чиме се повећава поузданост појачала снаге.
ЛДМОС може да издржи однос стојног таласа три пута већи од оног биполарног транзистора и може да ради на већој одбијеној снази без уништавања ЛДМОС уређаја; може да издржи претерану побуду улазног сигнала и погодан је за пренос дигиталних сигнала, јер има напредну тренутну вршну снагу. Крива појачања ЛДМОС-а је глаткија и омогућава појачање дигиталног сигнала са више носача са мање изобличења. ЛДМОС цев има низак и непромењен ниво интермодулације у области засићења, за разлику од биполарних транзистора који имају висок ниво интермодулације и мењају се са повећањем нивоа снаге. Ова главна карактеристика омогућава ЛДМОС транзисторима да изводе двоструко већу снагу од биполарних транзистора са бољом линеарношћу. ЛДМОС транзистори имају боље температурне карактеристике и температурни коефицијент је негативан, па се може спречити утицај расипања топлоте. Оваква температурна стабилност дозвољава да промена амплитуде буде само 0.1 дБ, а у случају истог улазног нивоа, амплитуда биполарног транзистора се мења са 0.5 на 0.6 дБ, а обично је потребно круг температурне компензације.
Карактеристике и предности употребе ЛДМОС структуре
ЛДМОС је широко прихваћен јер је лакше бити компатибилан са ЦМОС технологијом. Структура ЛДМОС уређаја приказана је на слици 1. ЛДМОС је уређај за напајање са двоструком распршеном структуром. Ова техника треба да се имплантира два пута у исто подручје извора/одвода, једну имплантацију арсена (Ас) са већом концентрацијом (типична доза имплантације од 1015 цм-2), и другу имплантацију бора (са мањом концентрацијом (типична доза имплантације од 1013цм-2)). Б). Након имплантације, врши се процес погона на високој температури. Будући да се бор дифундира брже од арсена, он ће се даље ширити дуж бочног правца испод границе капије (П-бунар на слици), формирајући канал са градијентом концентрације, а његова дужина канала Одређена разликом између две бочне дифузне удаљености . Да би се повећао пробојни напон, постоји подручје заношења између активног подручја и одводног подручја. Подручје заношења у ЛДМОС -у је кључ за дизајн ове врсте уређаја. Концентрација нечистоћа у подручју дрифта је релативно ниска. Стога, када је ЛДМОС повезан на високи напон, подручје заношења може издржати већи напон због свог великог отпора. Поликристални ЛДМОС приказан на слици 1 протеже се до кисеоника у пољу у подручју заношења и делује као плоча поља, што ће ослабити површинско електрично поље у подручју заношења и помоћи у повећању пробојног напона. Ефекат поља поља је уско повезан са дужином поља. Да би пољска плоча била потпуно функционална, потребно је пројектовати дебљину слоја СиО2, и друго, дужина пољске плоче мора бити пројектована.
Процес производње ЛДМОС -а комбинује процесе БПТ и галијевог арсенида. За разлику од стандардног МОС процеса, тјУ паковању уређаја, ЛДМОС не користи изолациони слој беО берилијум оксида, већ је директно ожичен на подлози. Побољшана је топлотна проводљивост, побољшана је отпорност уређаја на високе температуре, а животни век уређаја је знатно продужен. . Због негативног температурног ефекта ЛДМОС цеви, струја цурења се аутоматски уједначава при загревању, а позитивни температурни ефекат биполарне цеви не формира локално жариште у колекторској струји, тако да цев није лако оштећена. Тако ЛДМОС цев у великој мери јача носивост неусаглашености оптерећења и прекомјерног узбуђења. Такође због ефекта аутоматског дељења струје ЛДМОС цеви, њена карактеристика криве улаза и излаза полако се закривљује на тачки компресије од 1 дБ (одсек засићења за апликације великих сигнала), па се динамички опсег проширује, што погодује појачању аналогног и дигитални ТВ РФ сигнали. ЛДМОС је приближно линеаран када појачава мале сигнале готово без интермодулационих изобличења, што у великој мери поједностављује круг корекције. Једносмерна струја капије МОС уређаја је скоро нула, склоп пристрасности је једноставан и нема потребе за сложеним активним кругом пристрасности ниске импедансе са позитивном температурном компензацијом.
За ЛДМОС, дебљина епитаксијалног слоја, концентрација допинга и дужина подручја заношења најважнији су карактеристични параметри. Можемо повећати напон пробоја повећавајући дужину подручја заношења, али то ће повећати површину чипа и отпорност на отпор. Издржавајући напон и отпорност високонапонских ДМОС уређаја зависе од компромиса између концентрације и дебљине епитаксијалног слоја и дужине подручја заношења. Будући да издржљиви напон и отпорност на отпор имају контрадикторне захтеве за концентрацију и дебљину епитаксијалног слоја. Висок напон пробоја захтева дебели лагано допирани епитаксијални слој и дугу област заношења, док низак отпор на отпор захтева танак јако допиран епитаксијални слој и кратко подручје заношења. Због тога се најбољи епитаксијални параметри и подручје померања морају изабрати дужина како би се добио најмањи отпор на отпорност под претпоставком задовољења одређеног напона пробоја извор-одвод.
ЛДМОС има изванредне перформансе у следећим аспектима:
1. Термичка стабилност; 2. Стабилност фреквенције; 3. Већи добитак; 4. Побољшана издржљивост; 5. Нижа бука; 6. Нижи повратни капацитет; 7. Једноставније струјно коло пристрасности; 8. Константна улазна импеданса; 9. Боље перформансе ИМД -а; 10. Нижи топлотни отпор; 11. Боља способност АГЦ -а. ЛДМОС уређаји су посебно погодни за ЦДМА, В-ЦДМА, ТЕТРА, дигиталну земаљску телевизију и друге апликације које захтевају широк опсег фреквенција, високу линеарност и високе захтеве за радни век.
ЛДМОС се у првим данима углавном користио за РФ појачала у базним станицама мобилних телефона, а може се применити и на ВФ, ВХФ и УХФ радио предајнике, микроталасне радаре и навигационе системе итд. Осим свих технологија РФ напајања, транзисторска технологија латерално дифузног полуопроводника од металног оксида (ЛДМОС) доноси већи однос вршне снаге према просеку (ПАР, Пеак-то-Аераге), већи добитак и линеарност новој генерацији појачала базних станица. време, доноси већу брзину преноса података за мултимедијалне услуге. Осим тога, одличне перформансе настављају да се повећавају са ефикасношћу и густином снаге. У последње четири године, Пхилипс-ова друга генерација ЛДМОС технологије од 0.8 микрона има блиставе перформансе и стабилан капацитет масовне производње на ГСМ, ЕДГЕ и ЦДМА системима. У овој фази, како би се испунили захтеви за појачала снаге са више носача (МЦПА) и В-ЦДМА, обезбеђена је и ажурирана ЛДМОС технологија.
Наша друга производ:
